Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал

Жанр: Прочая образовательная литература / Физика и математика / Философия и логика

Автор

Ибратжон Хатамович Алиев Oybek Tohir o‘g‘li Berkinov

Страниц

Год

—

Международный научный журнал «Все науки», который был основан при поддержке компании ООО «Electron Laboratory» и Научной школы «Электрон», представляет собой выдающееся научное издание. Оно фокусируется на публикации актуальных исследований и новейших достижений в широком спектре дисциплин, включая точные и естественные науки, гуманитарные исследования, а также технические области.

Данный журнал служит платформой для обмена знаниями между учеными, исследователями и практиками, предоставляя возможность представлять свои работы и достижения широкой аудитории. Каждое число журнала состоит из тщательно рецензируемых статей, которые проходят критическую оценку со стороны редакционной коллегии и ученого совета НИИ «ФРЯР», действующего при ООО «Electron Laboratory». Публикации выходят ежемесячно, что гарантирует, что читатели получают самые свежие и значимые результаты научных изысканий.

Помимо этого, «Все науки» активно способствует междисциплинарным исследованиям и сотрудничеству между различными областями знаний, подчеркивая важность интеграции науки в современном обществе. Журнал также предоставляет авторам возможность участвовать в конкурсах на лучшие публикации, что создает стимулы для дальнейшего повышения качества научных работ.

Читать бесплатно онлайн Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал - Ибратжон Хатамович Алиев, Oybek Tohir o‘g‘li Berkinov

Авторы: Алиев Ибратжон Хатамович, Отажонов Салим Мадрахимович, L. Garrido-Gómeza, J. P. Fernández-Garcíaa, A. Vegas-Díaza, B. Fernándeza, F. J. Ferrera, D. Lopez-Airesc, Билалов Иномжон Уктамович, Иброхимов Фарходжон Анваржонович, Sabriddinova Kibriyo, Хусанов Жамолиддин, Berkinov Oybek Tohir o‘g‘li, Yuldoshev Avazbek Abdurashid o‘g‘li, Норбоева Дилноза Oрзиқуловна

Главный редактор. Директор НИИ "ФРЯР" Ибратжон Хатамович Алиев

Научный директор Боходир Хошимович Каримов

Технический директор Султонали Мукарамович Абдурахмонов

Экономический директор Ботирали Рустамович Жалолов

Редактор Миродилжон Хомуджонович Баратов

Редактор Гулчехра Ғуламжановна Ғаффарова

Иллюстратор Ибратжон Хатамович Алиев

Иллюстратор Фарходжон Анваржонович Иброхимов

Дизайнер обложки Раънохон Мукарамовна Алиева

Корректор Гулноза Мухтаровна Собирова

Корректор Дилноза Орзиқуловна Норбоева

Модератор Фарходжон Анваржонович Иброхимов

ISBN 978-5-0065-1875-9 (т. 10)

ISBN 978-5-0065-0531-5

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

О ВЫВЕДЕНИИ УРАВНЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ, ОКСИДА КРЕМНИЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

УДК: 519.712 / 53.023

Отажонов Салим Мадрахимович^>1, Алиев Ибратжон Хатамович^>2

^>1Ферганский государственный университет, 150100, Республика Узбекистан, Ферганская обл., г. Фергана, ^>2НИИ «ФРЯР», 151100, Республика Узбекистан, Ферганская обл., г. Фергана

Аннотация. В статье представлено исследование по выведению общего динамического уравнения электропроводности с учётом дополнительных внешних факторов с созданием различного стороннего поля. Также представлен наглядный пример на основе полупроводников CdTe и Si, организующие единый элемент. Для вывода соответствующего уравнения затронут метод непосредственного выведения уравнения теплопроводности от частичного прообраза уравнения Гельмгольца с последующим его сведением от уравнения Лапласа в электростатическом моделировании. В заключении приводиться само уравнение, граничные условия по указанной модели и эмпирические данные полученные при реализации модели.

Ключевые слова: электростатика и теория электромагнетизма, электропроводность, уравнение Лапласа, динамическое дифференциальное уравнение в частных производных.

Введение

Увеличение разнообразия имеющихся материалов с различными проводящими свойствами, переменной концентрацией свободных зарядов в них различного характера открывает большие возможности перед современной технической наукой. Среди числа подходящий под выше представленное определение попадают полупроводники с различной структурой, с использованием легирования на смежных материалах [1—2; 11]. Вместе с этим, существует также технология использования полупроводников для создания одноимённых элементов, где также может выступать кремний, с его примесями, среди которых может выступать чистый кристаллический кремний, смесь кремния и бора, кремния и фосфора, а также прочие комбинации полупроводников [2—4; 7—12; 15—16].

Продолжить чтение

Вам может понравиться: