Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал

Жанр: Физика / Математика / Техническая литература

Автор

Страниц

Год

—

Международный научный журнал «Все науки» – это уникальное научное издание, которое было основано при OOO «Electron Laboratory» и Научной школе «Электрон». Он славится своими последними научными достижениями в разнообразных областях науки и техники. Кроме того, данный журнал является не только сборником публикаций от наших уважаемых коллег, но и проходит рецензирование от экспертов Научной школы «Электрон».

В нашем журнале вы найдете статьи, посвященные революционным исследованиям в различных научных областях, начиная от фундаментальной физики и заканчивая новейшими технологиями информационных систем. Наша миссия – предоставить читателям доступ к самым актуальным достижениям и научным открытиям, которые формируют будущее нашей цивилизации.

В журнале «Все науки» мы ставим перед собой задачу превратить сложные научные темы в увлекательное чтение для широкой аудитории. Мы верим, что наука должна быть доступной каждому, поэтому наши авторы приложили максимум усилий, чтобы представить материалы настолько ясно и просто, насколько это возможно.

Коллеги, внимательно отбирают публикации, исключительно высокого качества, чтобы обеспечить нашим читателям самую достоверную и полезную информацию. Мы гордимся нашей редколлегией ученых, которые пристально следят за качеством нашего журнала и убеждаются, что каждая публикация соответствует нашим стандартам.

Если вы являетесь исследователем, который стремится поделиться своими открытиями с мировым научным сообществом, мы приглашаем вас отправить нам свою статью. Мы гарантируем, что ваш материал будет проанализирован нашими экспертами и, в случае положительного решения, будет опубликован в нашем журнале и получит максимальную видимость среди наших читателей и научных коллег.

Совершенствуйте науку вместе с журналом «Все науки» и присоединяйтесь к научной общности, которая стремится к новым горизонтам знания и инноваций!

Читать бесплатно онлайн Все науки. №4, 2023. Международный научный журнал - Ибратжон Алиев

Главный редактор Ибратжон Хатамович Алиев

Иллюстратор Ибратжон Хатамович Алиев

Иллюстратор Оббозжон Хокимович Кулдашов

Иллюстратор Султонали Мукарамович Абдурахмонов

Иллюстратор Боходир Хошимович Каримов

Дизайнер обложки Ибратжон Хатамович Алиев

Дизайнер обложки Раънохон Мукарамовна Алиева

Дизайнер обложки Боходир Хошимович Каримов

Научный руководитель Боходир Хошимович Каримов

Заместитель Научного руководителя Султонали Мукарамович Абдурахмонов

Экономический руководитель Фаррух Муроджонович Шарофутдинов

Экономический консультант Ботирали Рустамович Жалолов

Корректор Гульноза Мухтаровна Собирова

Корректор Абдурасул Абдусолиевич Эргашев

Корректор Екатерина Александровна Вавилова

ISBN 978-5-0060-3900-1 (т. 4)

ISBN 978-5-0059-5898-3

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ

ОПТИЧЕСКАЯ И ЗВУКОВАЯ ПАМЯТЬ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ

УДК 535.215.31

Каримов Боходир Хошимович

Кандидат физико-математических наук, доцент физико-технического факультета Ферганского государственного университета

Каримов Шавкат Боходирович

Соискатель физико-технического факультета Ферганского государственного университета

Алиев Ибратжон Хатамович

Студент 3 курса факультета математики-информатики Ферганского государственного университета

Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан

Аннотация. Фото-ЭДС (или фотонапряжение) в полупроводниках независимо от ее природы не может превышать ширину запрещенной зоны, т.е. несколько Вольт/см.

Ключевые слова: фото-ЭДС, фотовольтаический ток, кристаллы без центра симметрии, полупроводники, тензоры третьего ранга, энергии уровня Ферми.

Annotation. PHOTOEDC (or photovoltage) in semiconductors, regardless of its nature, cannot exceed the band gap width, i.e. several volts/cm.

Keywords: PHOTOEDC, photovoltaic current, crystals without a center of symmetry, semiconductors, third-rank tensors, Fermi-level energies.

Например, в однородном полупроводнике Демберовское (диффузионное) фото напряжение для сколь угодно большой интенсивности возбуждающего света не превышает значения [1].

(1)

где E_>g – ширина запрещенной зоны полупроводника, n_>1 и n_>0 – соответственно неравновесная и равновесная концентрации носителей, N_>c – плотность состояний.

Другим примером может служить возникающие фотонапряжение при освещении p-n —перехода [2].

(2)

которое также не превышает E_>g. Здесь n_>n и p_>p – соответственно концентрации электронов в n – области и дырки в р – области. E_>Fn и E_>Fp – энергии уровня Ферми в n – и р – областях.

Исключение из этого правила составляли лишь полупроводниковые текстуры в которых наблюдается эффект аномально больших фото напряжений (АФН эффект), обусловленный сложением элементарных фото-ЭДС Дембера (1) или элементарных фото-ЭДС (2), развивающихся на отдельных р-n —переходах текстуры [3].

В таких текстурах из напыленных слоев CdTe, Ge, Si, GaAs, PbS, CdSe и т. д. фото напряжения могут достигать значений порядка нескольких сотен Вольт на сантиметр длины в направлении сложения элементарных фото-ЭДС (1) или (2).

В последние годы стало ясно, что в термодинамических неравновесных условиях возможны токи иной природы, обусловленные отсутствием среды центра симметрии. Важнейшим этого класса эффекта является аномальный фотовольтаический эффект (АФ эффект).

Продолжить чтение

Вам может понравиться: