Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография

Жанр: Книги о компьютерах / Физика / Математика

Автор

Нодир Эсоналиевич Алимов Салим Мадрахмович Отажонов

Страниц

35

Год

—

Монография «Физические свойства и механизм образования фото-ЭДС в пленках А2В6» является уникальным исследованием, посвященным изучению фотоэлектрической эмиссии в пленках соединений типа А2В6. В рамках данной работы было проведено комплексное исследование фотоэлектрической эмиссии и фотопроводимости, что позволило определить энергии активации и особенности взаимодействия в межкристаллических барьерах вдоль слоя пленок.

Особое внимание уделено структуре края поглощения пленок, с целью упрощения анализа спектров фотопроводимости и тока замыкания. Это позволяет исследователям более точно определить основные физические параметры материалов и получить более достоверные результаты исследования.

Монография представляет интерес для научных работников, студентов и аспирантов, обучающихся в области технического образования. Её рекомендация к печати Ученым советом ФерГУ свидетельствует о значимости исследования, представленного в работе, и подтверждает его актуальность и научную ценность.

Основываясь на результате исследования, можно сделать вывод, что изучение фотоэлектрической эмиссии в пленках А2В6 имеет большой практический потенциал и может использоваться в различных областях науки и производства, таких как создание новых материалов и разработка эффективных фотоэлектрических устройств. Результаты работы способствуют расширению наших знаний о физических свойствах пленок А2В6 и их потенциале для применения в современных технологиях.

Читать бесплатно онлайн Фотоэлектрические явления в широкозонных полупроводниковых гетероструктурах с глубокими примесными уровнями. Монография - Нодир Эсоналиевич Алимов, Салим Мадрахмович Отажонов

Редактор Ибратжон Хатамович Алиев

Редактор Боходир Хошимович Каримов

Редактор Оббозхон Хакимович Кулдошев

Рецензент, доктор физико-математических наук, профессор Ферганского политехнческого института Носиржон Хайдарович Юлдашев

Рецензент, кандидат технических наук, доцент физико-технического факультета Ферганского государственного университета Якуб Усманович Усмонов

Иллюстратор Ибратжон Хатамович Алиев

Иллюстратор Боходир Хошимович Каримов

Иллюстратор Салим Мадрахимович Отажонов

Дизайнер обложки Ибратжон Хатамович Алиев

Дизайнер обложки Боходир Хошимович Кримов

Дизайнер обложки Салим Мадрахимович Отажонов

Корректор Ибратжон Хатамович Алиев

Корректор Боходир Хошимович Каримов

ISBN 978-5-0059-1351-7

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

Введение

Физические свойства и механизм образования фото-ЭДС в пленках А_>2В_>6 исследовались во многих работах [2—7], но глубокие уровни в них почти не изучались. В то же время, комплексное изучение фото-ЭДС и фотопроводимости позволяет определить не только энергии их активации, но и свойства межкристаллических барьеров вдоль слоя, а также их различия на поверхности и в глубине слоя. В данной главе рассмотрим структуру края поглощения пленок, что необходимо для упрощения анализа спектров фотопроводимости и тока короткого замыкания, а также систематизируем электрофизические свойства слоев, полученных с разной скоростью конденсации. Будут рассмотрены и некоторые простые феноменологические модели этих слоев. В конце главы сделана попытка построить более реальную модель АФН-пленки и теорию образования АФН в косо напылённых поликристаллических пленках в области собственного и примесного поглощения света.

§1. Край поглощения света тонких пленок CdTe с глубокими уровнями

Изучение спектральных зависимостей оптических постоянных в области края поглощения является весьма эффективным методом исследования особенностей дефектности строения энергетических зон в тонких пленках. В связи с этим нами были измерены коэффициенты пропускания (Т) при перпендикулярном освещении слоев теллурида кадмия, полученных при разных скоростях конденсации. Как известно, коэффициент пропускания зависит от оптических постоянных: показателя преломления пленок (n) и коэффициента экстинкции (k), толщины пленки (d), длины волны света (λ), а также от показателя преломления подложки (n_>1).

На рис.1. представлена зависимость T от энергии кванта света (hν) для пленок CdTe: Ag, полученных при разных скоростях конденсации (см. табл.1.).

Из рисунка видно, что в длинноволновой области спектра в пленках наблюдается интерференция. Для пленок, полученных со скоростью конденсации 0.2 и 1.73 нм/c в области спектра hν = 0.5—1.0 эВ, T_>max достигает 90—97%. При скоростях конденсации 2.5 нм/с T_>max и T_>min интерференции уменьшаются (кривая 3) и T_>max достигает 30% в длинноволновой области спектра. В пленках, полученных при сравнительно больших скоростях 2,53 нм/с, интерференция наблюдается только в области 2—2.5 мкм, а T

Продолжить чтение

Вам может понравиться: